第五人格直播浅笑:格芯推出12納米 ARM 架構 3D 芯片,成熟度優于臺積電7納米

2019-08-12 09:00:11 來源:EETOP
晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,開發出基于ARM 架構的3D 高密度測試芯片,將實現更高水準的性能和功效。由于當前芯片封裝一直是芯片制造中的一個關鍵點,使得在傳統的2D 封裝技術已經發展到瓶頸之后,半導體制造商們把目光轉向3D 堆疊技術上。除了看到大量的3D NAND Flash 的應用,英特爾AMD 也都有提出關于3D 芯片的研究報告。如今,ARM 和格芯也加入這領域。




格芯指出,新開發出基于ARM 架構的3D 高密度測試芯片,是采用格芯的12 納米FinFET 制程所制造,采用3D 的ARM 網狀互連技術,允許數據更直接的傳輸到其他內核,極大化的降低延遲性。而這樣的架構,這可以降低數據中心、邊緣運算以及高階消應用的延遲,并且提升數據的傳輸速度。
格芯強調,新開發出基于ARM 架構的3D 高密度測試芯片,可以進一步在每平方公厘上實現多達100 萬個3D 的連結,使其具有高度可擴展性,并有望延展12 納米制成的壽命。另外,3D 封裝解決方案(F2F)不僅為設計人員提供了異構邏輯和邏輯/ 存儲器整合的途徑,而且可以使用最佳生產節點制造,以達成更低的延遲、更高的頻寬,更小芯片尺寸的目標。
 
格芯表示,因為當前的12 納米制程成熟穩定,因此目前在3D 空間上開發芯片更加容易,而不必擔心新一代7 納米制程所可能帶來的問題。然而,臺積電、三星和英特爾能夠在比格芯小得多的節點上開發3D 芯片,而且也已經相關的報告。而何時推出,就只是時間上的問題。屆時,格芯是否能以較低廉的價格優勢,進一步與其他晶圓生產廠商競爭,就有待后續的觀察。


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